Other names for the MOCVD process include: organo-metallic chemical vapor deposition (OMCVD), organo-metallic vapor phase epitaxy (OMVPE) and metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). Qui trình chế tạo màng mỏng này còn có những tên khác nhau như organometallic chemical vapor deposition (OMCVD), metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), and organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE).
Other names for the MOCVD process include: organo-metallic chemical vapor deposition (OMCVD), organo-metallic vapor phase epitaxy (OMVPE) and metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). Qui trình chế tạo màng mỏng này còn có những tên khác nhau như organometallic chemical vapor deposition (OMCVD), metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), and organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE).
Other names for the MOCVD process include: organo-metallic chemical vapor deposition (OMCVD), organo-metallic vapor phase epitaxy (OMVPE) and metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). Qui trình chế tạo màng mỏng này còn có những tên khác nhau như organometallic chemical vapor deposition (OMCVD), metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), and organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE).
Other names for the MOCVD process include: organo-metallic chemical vapor deposition (OMCVD), organo-metallic vapor phase epitaxy (OMVPE) and metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). Qui trình chế tạo màng mỏng này còn có những tên khác nhau như organometallic chemical vapor deposition (OMCVD), metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), and organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE).
It has been speculated that the use of six-inch silicon wafers instead of two-inch sapphire wafers and epitaxy manufacturing processes could reduce production costs by up to 90%. Nó đã được suy đoán rằng việc sử dụng các tấm silicon sáu-inch thay vì hai-inch tấm sapphire và quy trình sản xuất epitaxy có thể làm giảm chi phí sản xuất lên đến 90%.
It has been speculated that the use of six-inch silicon wafers instead of two-inch sapphire wafers and epitaxy manufacturing processes could reduce production costs by up to 90%. Nó đã được suy đoán rằng việc sử dụng các tấm silicon sáu-inch thay vì hai-inch tấm sapphire và quy trình sản xuất epitaxy có thể làm giảm chi phí sản xuất lên đến 90%.
It has been speculated that the use of six-inch silicon wafers instead of two-inch sapphire wafers and epitaxy manufacturing processes could reduce production costs by up to 90% Nó đã được suy đoán rằng việc sử dụng các tấm silicon sáu-inch thay vì hai-inch tấm sapphire và quy trình sản xuất epitaxy có thể làm giảm chi phí sản xuất lên đến 90%.
It has been speculated that the use of six-inch silicon wafers instead of two-inch sapphire wafers and epitaxy manufacturing processes could reduce production costs by up to 90% Nó đã được suy đoán rằng việc sử dụng các tấm silicon sáu-inch thay vì hai-inch tấm sapphire và quy trình sản xuất epitaxy có thể làm giảm chi phí sản xuất lên đến 90%.
There are several technologies for creating the conditions inside a reactor needed to support epitaxial growth, of which the most important is Vapor Phase Epitaxy (VPE). Có một số công nghệ để tạo ra các điều kiện bên trong một lò phản ứng cần thiết để hỗ trợ tăng trưởng epitaxy, trong đó quan trọng nhất là V apor P Hase E pitaxy (VPE).
There are several technologies for creating the conditions inside a reactor needed to support epitaxial growth, of which the most important is Vapor Phase Epitaxy (VPE). Có một số công nghệ để tạo ra các điều kiện bên trong một lò phản ứng cần thiết để hỗ trợ tăng trưởng epitaxy, trong đó quan trọng nhất là V apor P Hase E pitaxy (VPE).
