This results in a single SWNT that acts as a not logic gate with both p and n-type FETs within the same molecule. Kết quả là một SWNT đơn có thể hoạt động như một cửa luận lý NOT với cả loại FET n và p trong cùng một phân tử.
A diode comprises a section of N-type material bonded to a section of P-type material, with electrodes on each end. Một diode bao gồm một phần của N-type Material ngoại quan đến một phần của P-type Material, với các điện cực ở mỗi đầu.
A diode comprises a section of N-type material bonded to a section of P-type material, with electrodes on each end. Một diode bao gồm một phần của N-type Material ngoại quan đến một phần của P-type Material, với các điện cực ở mỗi đầu.
A diode includes a section of N-type material bonded with a P-type material with electrodes on each end. Một diode bao gồm một phần của N-type Material ngoại quan đến một phần của P-type Material, với các điện cực ở mỗi đầu.
A diode includes a section of N-type material bonded with a P-type material with electrodes on each end. Một diode bao gồm một phần của N-type Material ngoại quan đến một phần của P-type Material, với các điện cực ở mỗi đầu.
A diode in this instances consists of a section of N-type material bonded to a section of P-type material, with electrodes on each end. Một diode bao gồm một phần của N-type Material ngoại quan đến một phần của P-type Material, với các điện cực ở mỗi đầu.
A diode in this instances consists of a section of N-type material bonded to a section of P-type material, with electrodes on each end. Một diode bao gồm một phần của N-type Material ngoại quan đến một phần của P-type Material, với các điện cực ở mỗi đầu.
A diode consists of a section of N-type material bonded to a section of P-type material, with electrodes on each end. Một diode bao gồm một phần của N-type Material ngoại quan đến một phần của P-type Material, với các điện cực ở mỗi đầu.
A diode consists of a section of N-type material bonded to a section of P-type material, with electrodes on each end. Một diode bao gồm một phần của N-type Material ngoại quan đến một phần của P-type Material, với các điện cực ở mỗi đầu.
Telsto RF N-Type 50 Ohm connectors are durable, weatherproof, medium-sized units offering consistent performance through 11GHz. Telsto RF N-Type 50 Ohm kết nối là bền, thời tiết, các đơn vị kích thước trung bình cung cấp hiệu suất phù hợp thông qua 11GHz.
