FeRAM, F-RAM or FRAM - Ferroelectric RAM is a random-access memory similar in construction to DRAM but uses a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. Còn gọi là FeRAM hay F-RAM (Ferroelectric RAM), là loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên có cấu trúc như DRAM, nhưng sử dụng lớp sắt điện thay vì lớp bán dẫn để đạt được khả năng lưu dữ thông tin.
With a combination of speed, endurance, non-volatility and density, PCM can enable a paradigm shift for enterprise IT and storage systems within the next five years. Với sự kết hợp giữa tốc độ, độ bền, tính ổn định và mật độ dày đặc, PCM sẽ trở thành một loại hình lưu trữ thay thế dành cho các doanh nghiệp và hệ thống lưu trữ trong vòng 5 năm tới.
Điện thoại