ferroelectric câu

• “It turns out that the ferroelectric effect may not be the only one involved.
  "Hóa ra sắt điện có thể không phải hiệu ứng duy nhất tham gia vào đây.
• It turns out that the ferroelectric effect may not be the only one involved.
  Hóa ra sắt điện có thể không phải hiệu ứng duy nhất tham gia vào đây.
• “It turns out that the ferroelectric effect may not be the only one involved.
  “Hóa ra sắt điện có thể không phải hiệu ứng duy nhất tham gia vào đây.
• It turns out that the ferroelectric effect may not be the only one involved.
  Hóa ra hiệu ứng sắt điện có thể không phải là yếu tố duy nhất liên quan.
• Like other perovskite crystals, KBNNO is ferroelectric.
  Cũng giống như các tinh thể thuộc họ perovskite khác, KBNNO là vật liệu sắt điện.
• Impurities in ferroelectric materials.
  Mạ trên chất liệu sắt
• Program memory in the form of ferroelectric RAM, NOR flash or OTP ROM is often included on chip, as well as a small amount of RAM.
  Bộ nhớ chương trình lưu trữ như RAM, flash NOR hoặc ROM OTP cũng thường được bao gồm trên chip.
• Program memory in the form of ferroelectric RAM, NOR flash or OTP ROM is also often included on chip, as well as a small amount of RAM.
  Bộ nhớ chương trình lưu trữ như RAM, flash NOR hoặc ROM OTP cũng thường được bao gồm trên chip.
• Program memory in the form of Ferroelectric RAM, NOR flash or OTP ROM is also often included on chip, as well as a small amount of RAM.
  Bộ nhớ chương trình lưu trữ như RAM, flash NOR hoặc ROM OTP cũng thường được bao gồm trên chip.
• “The main challenge that we faced was figuring out the right ferroelectric layer thickness,” says Chouprik.
  "Thách thức chính mà chúng tôi gặp phải là tìm ra độ dày thích hợp cho lớp sắt điện", Chouprik nói.
• “The main challenge that we faced was figuring out the right ferroelectric layer thickness,” says Chouprik.
  “Thách thức chính mà chúng tôi gặp phải là tìm ra độ dày thích hợp cho lớp sắt điện”, Chouprik nói.
• "The main challenge that we faced was figuring out the right ferroelectric layer thickness," says Chouprik.
  “Thách thức chính mà chúng tôi gặp phải là tìm ra độ dày thích hợp cho lớp sắt điện”, Chouprik nói.
• Since alpha indium selenide has a much smaller band gap, the material can be just 10 nanometers thick without losing ferroelectric properties, allowing more current to flow through it.
  Vì alpha indium selenide có khe hở nhỏ hơn nhiều, độ dày của vật liệu chỉ đạt 10 nanomet, cho phép dòng điện mạnh hơn chạy qua.
• What makes hafnium oxide ideal for this, and puts it ahead of other ferroelectric materials, is that it's already being used to build microchips by companies such as Intel.
  Điều làm cho hafnium oxit trở nên lý tưởng cho việc này là nó đã được sử dụng để chế tạo vi mạch bởi các công ty như Intel.
• Alpha indium selenide has a much smaller band gap, making it possible for the material to be a semiconductor without losing ferroelectric properties.
  Alpha indium selenide có khoảng cách dải nhỏ hơn nhiều, giúp vật liệu trở thành chất bán dẫn mà không làm mất tính chất sắt điện.
• Instead, ferroelectric RAM operates as a separate unit on-chip, limiting its potential to make computing much more efficient.
  Thay vào đó, RAM sắt hoạt động như một đơn vị riêng biệt trên chip, hạn chế tiềm năng của nó trong việc thực hiện tính toán hiệu quả hơn nhiều.
• Make it just one-nanometer thinner, and the ferroelectric properties are gone, while a thicker film is too wide a barrier for the electrons to tunnel through.
  Làm cho nó chỉ mỏng hơn 1 nanomet, và các tính chất sắt điện không còn nữa, trong khi một lớp màng dày hơn quá rộng là rào cản cho các electron xuyên qua.
• On the left, extremely fast pulses of light excite atoms within the crystal structure (red arrows), which shifts the material into a new, ferroelectric phase.
  Ở bên trái, các xung ánh sáng cực nhanh kích thích các nguyên tử trong cấu trúc tinh thể (mũi tên đỏ), làm cho vật liệu chuyển sang giai đoạn mới, sắt điện.
• On the left, extremely fast pulses of light excites atoms within the crystal structure (red arrows), which shifts the material into a new, ferroelectric phase.
  Ở bên trái, các xung ánh sáng cực nhanh kích thích các nguyên tử trong cấu trúc tinh thể (mũi tên đỏ), làm cho vật liệu chuyển sang giai đoạn mới, sắt điện.
• Alternative solutions such as Ferroelectric RAM (FRAM) use a specialty process, resulting in much higher costs and unstable long-term supply.
  Các giải pháp thay thế khác như Ferroelectric RAM (FRAM) đòi hỏi sử dụng công nghệ xử lý đặc biệt, dẫn tới chi phí cao hơn nhiều và nguồn cung không ổn định lâu dài.