magnetoresistance câu

• The physicists were honoured for their discovery of the giant magnetoresistance (GMR) effect.
  Vì những khám phá trong việc tìm ra Hiệu ứng từ trở khổng lồ (GMR).
• Ordinary magnetoresistance, discovered in 1856 by Lord Kelvin (William Thomson), exhibits no more than 5 percent decrease in electrical resistance.
  Hiệu ứng này lần đầu tiên được phát hiện bởi William Thomson (Lord Kelvin) vào năm 1856 với sự thay đổi điện trở không quá 5%.
• The alloy has 100 percent spin-polarized conduction electrons, which enables very high spin-asymmetry of electron scattering and results in a large magnetoresistance ratio.
  Hợp kim này có các electron dẫn phân cực spin 100%, cho phép sự bất đối xứng spin rất cao của tán xạ electron và dẫn đến tỷ lệ từ tính lớn.
• In the 1990s TDK's Mass Storage Division included brushless DC spindle motors, magnetoresistance (MR) heads, and thin-film heads.
  Trong thập niên 1990 của TDK Mass Storage Division bao gồm không chổi than DC động cơ trục chính, magnetoresistance (MR) người đứng đầu, và đầu màng mỏng.
• In the 1990s TDK's Mass Storage Division included brushless DC spindle motors, magnetoresistance (MR) heads, and thin-film heads.
  Trong thập niên 1990 của TDK Mass Storage Division bao gồm không chổi than DC động cơ trục chính, magnetoresistance (MR) người đứng đầu, và đầu màng mỏng.
• In the '90s TDK's Mass Storage Division included brushless DC spindle motors, magnetoresistance (MR) heads and thin-film heads.
  Trong thập niên 1990 của TDK Mass Storage Division bao gồm không chổi than DC động cơ trục chính, magnetoresistance (MR) người đứng đầu, và đầu màng mỏng.
• In the '90s TDK's Mass Storage Division included brushless DC spindle motors, magnetoresistance (MR) heads and thin-film heads.
  Trong thập niên 1990 của TDK Mass Storage Division bao gồm không chổi than DC động cơ trục chính, magnetoresistance (MR) người đứng đầu, và đầu màng mỏng.
• In the 90’s TDK’s Mass Storage Division included brushless DC spindle motors. magnetoresistance (MR) heads and thin-film heads.
  Trong thập niên 1990 của TDK Mass Storage Division bao gồm không chổi than DC động cơ trục chính, magnetoresistance (MR) người đứng đầu, và đầu màng mỏng.
• In the 90’s TDK’s Mass Storage Division included brushless DC spindle motors. magnetoresistance (MR) heads and thin-film heads.
  Trong thập niên 1990 của TDK Mass Storage Division bao gồm không chổi than DC động cơ trục chính, magnetoresistance (MR) người đứng đầu, và đầu màng mỏng.
• Previous studies demonstrated that half-metallic Heusler alloys are well suited to enhance the magnetoresistance ratio in CPP-GMR devices.
  Các nghiên cứu trước đây đã chứng minh rằng hợp kim Heusler nửa kim loại rất phù hợp để tăng cường tỷ lệ từ tính trong các thiết bị CPP-GMR.
• Drude model provides a very good explanation of DC and AC conductivity in metals, the Hall effect, and the magnetoresistance in metals near room temperature.
  Mô hình Drude cung cấp một lời chính đáng về độ dẫn điện DC và AC trong kim loại, hiệu ứng Hall và từ trở [note 3] trong kim loại gần nhiệt độ phòng.
• German and French physicists discover the giant magnetoresistance (GMR) effect, which results from electron-spin effects in artificial multilayers of magnetic materials.
  Các nhà vật lí Đức và Pháp khám phá ra hiệu ứng từ trở khổng lồ (GMR), thu được từ các hiệu ứng spin electron trong các đa lớp nhân tạo của các chất từ tính.
• IBM researchers pioneered the use of giant magnetoresistance to boost hard-disk capacity but soon lost the disk-drive business to Seagate and Western Digital.
  Các nhà nghiên cứu của IBM đi tiên phong trong việc sử dụng từ trở khổng lồ để tăng dung lượng đĩa cứng nhưng đã sớm để rơi ngành kinh doanh này vào tay các công ty như Seagate hay Western Digital.
• If a similar property can be obtained in a polycrystalline device, it may become a candidate for a new magnetic field sensor with a greater sensitivity than a conventional Hall sensor or tunnel magnetoresistance sensor.
  Nếu một thuộc tính tương tự có thể thu được trong một thiết bị đa tinh thể, nó có thể trở thành vật liệu mới cho cảm biến từ trường mới có độ nhạy cao hơn cảm biến Hall thông thường hoặc cảm biến từ điện trở.